ООО "Абтроникс" — дистрибьютор электронных компонентов, радиодеталей, микроэлектроники
Специализированная микросхема FT232 RL, представляет собой преобразователь USB- RS232. ( RS232 – протокол передачи данных, который используется для управления аппаратным обеспечением). Изделие применяется в схемах управления, а также для согласования электронных устройств друг с другом.
Особенности:
Одноместный USB-чип для асинхронной последовательной передачи данных
UART I / F Поддерживает 7 / 8 бит данных, 1 / 2 Stop Bits и Odd/Even/Mark/Space/No Parity
Скорость передачи данных 300 => 3M (TTL)
Скорость передачи данных 300 => 1M (RS232)
Скорость передачи данных 300 => 3M (RS422/RS485)
Приемный буфер на 384 байт / буфера передачи на 128 Байт для высокой пропускной способности
Регулируемый буфер RX
Встроенная поддержка символов и строки состояния
Автоматическая передача буфера управленияRS485
Поддержка USB приостановки / возобновления через SLEEP # и # RI контакты
Операционное питание от 4.35V до 5.25V
Поддержка USB устройств высокой мощности
Комплексный преобразователь уровня
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | 768-1009-1-ND |
| Производитель | FTDI, Future Technology Devices International Ltd |
| Номенклатурный номер производителя | FT232BL-REEL |
| Краткое описание | IC USB FS SERIAL UART 32-LQFP |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 1 |
| Категория | Интегральные схемы (ICs) |
| Семейство | Универсальные асинхронные приемопередатчики |
| Серия | USBmadeEZ-UART |
| Количество каналов | 1, UART |
| Напряжение | 4.35V ~ 5.25V |
| Автоматическое управление потоком | Да |
| С CMOS | Да |
| Управление модемом | Да |
| Монтажный тип | Для поверхностного монтажа |
| Упаковка | Отрезная лента |
| Технические характеристики | Спецификации |
Это новые транзисторы от International Rectifier, данные MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) полупроводники предназначены для обработки аналоговых и смешанных сигналов (High-Voltage/Low-Voltage Analog and Mixed Signal Integrated Circuits, HVIC/LVIC), изделия используются наряду с диодами и транзисторами общего применения, и являются одними из самых востребованных элементов в современной электронике. Эти транзисторы применяются в системах управления питанием (Power Management Devices, PMD), DC/DC-преобразователях, а также в широком спектре стандартных и заказных компонентов специального назначения.
Особенности:
- Ультра малое сопротивление
- P-канальный MOSFET
- SOT-23 Footprint
- Низкий профиль (<1,1 мм)
- Доступный в лентах и катушках
- Быстрое переключение
- Галогенные
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | IRLML6402PBFCT |
| Производитель | International Rectifier |
| Номенклатурный номер производителя | IRLML6402TRPBF |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 1 |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Полевые транзисторы |
| Серия | HEXFET® |
| FET тип | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET функция | Logic Level Gate |
| Rds (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Ток непрерывной утечки (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Упаковка | Отрезная лента |
| Монтажный тип | Для поверхностного монтажа |
| Входная емкость (Ciss) @ Vds | 633pF @ 10V |
| Мощность, макс. | 1.3W |
| Технические характеристики | Спецификации |
Данные транзисторные сборки, рассчитаны на малое напряжение насыщения и высокую скорость операций. Они обеспечивают максимальную эффективность, будучи использованы в преобразователях постоянного тока, сетях передачи данных и телекоммуникационных сетях. Эти электронные компонентов среднего вольтового диапазона с максимально низким напряжением насыщения предназначены для линейки устройств, которым важен небольшой размер и высокие температурные характеристики. Изделия BC857BS-7идеально подходят для линейных устройств, например, для драйверов телекоммуникационных линий, линейных регуляторов, и устройств заряда аккумуляторных батарей.
Особенности:
- Идеально подходит для автоматического монтажа
- Разработано AF усилительных приложений
- Ультра-малый корпус поверхностного монтажа
- Соответствует Lead Free / RoHS (примечание 2)
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | BC857BS-7-FDITR-ND |
| Производитель | Diodes Inc |
| Номенклатурный номер производителя | BC857BS-7-F |
| Краткое описание | TRANS BIPO PNP DUAL 200MW SC70-6 |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Транзисторы (BJT) |
| Серия | - |
| Тип транзистора | 2 PNP (Dual) |
| Ток коллектора (Ic) (Max) | 100mA |
| Оратное напряжение коллектор-эмиттер (Max) | 45V |
| Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Постоянный ток (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Мощность, макс. | 200mW |
| Частота перехода | 100MHz |
| Монтажный тип | Для поверхностного монтажа |
| Упаковка | Лента |
| Технические характеристики | Спецификации |
Полевые транзисторы HEXFETs - это пятое поколение полупроводниковых компонентов этого типа от International Rectifier. Изделие разработано с использованием DMOS технологии и имеет чрезвычайно малое сопротивление на единицу площади используемого кремния. Транзистор обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Изделие применяется при малых токах и низких напряжениях: в аппаратуре связи, в драйверах и в других электронных устройствах. Данные HEXFET транзисторы чрезвычайно эффективны и надежны для использования в широком спектре приложений.
Особенности
- Ультра малое сопротивление
- Динамический уровень DV / DT
- Рабочая температура 175 ° C
- Быстрое переключение
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | IRF4905PBF |
| Производитель | International Rectifier |
| Номенклатурный номер производителя | IRF4905PBF |
| Краткое описание | MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 50 |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Полевые транзисторы |
| Серия | HEXFET® |
| FET тип | MOSFET, P-канальные, Металлооксидные |
| FET функции | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 38A, 10V |
| Сток напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток утечки (Id) @ 25° C | 74A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Мощность, макс. | 200W |
| Монтажный тип | Сквозное отверстие |
| Технические характеристики | Спецификации |
Представляемые выпрямительные диоды SK24-TPTR работают с широким диапазоном токов. Диоды отличаются высокой рабочей частотой без потери производительности. Особенностями данных выпрямительных диодов, которые в основном и определяют их использование, являются стабильные характеристики напряжения, высокое быстродействие, и минимальное время обратного восстановления. Изделие предназначено для работы в выпрямительных схемах, работающих на высоких скоростях переключения, данное изделие может быть использовано в импульсных источниках питания бытовой аппаратуры, конвертерах и аккумуляторных зарядных устройствах.
Особенности
- Защитные функции
- Низкое прямое напряжение
- Уровень огнестойкости UL 94 V-0
- Влажность Чувствительность 1-го уровня
- Низкое тепловое сопротивление
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до +125 ° C
- Температура хранения: -55 ° C до +150 ° C
- Максимальное тепловое сопротивление, 15 ° C/W
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | SK24-TPTR |
| Производитель | Micro Commercial Co |
| Номенклатурный номер производителя | SK24-TP |
| Краткое описание | DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Выпрямители, диоды |
| Серии | - |
| Напряжение (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 2A |
| Напряжение обратное DC (Vr) (макс.) | 40V |
| Ток (Io) | 2A |
| Ток @ Vr | 500µA @ 40V |
| Тип диода | Шоттки |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Упаковка | Лента |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Техническая документация | Спецификации |
EL5132 являются усилителями с обратной связью, которые идеально подходят для приложений, требующих малошумной работы, напрмер, измерительных приборов, приложений связи и устройств обработки изображений. Эти устройства имеют чрезвычайно низкое потребление энергии с ультранизким уровнем шума. Устройства обладают отличной стабильностью технических параметров, и высокой производительностью. В приложениях усиления сигнала, они сохраняют свои рабочие характеристики в условиях больших перегрузок. Эти усилители выпускаются в небольших корпусах типа SOT-23, а также стандартных SO корпусах. Изделие рассчитано для работы в температурном диапазоне от-40C до +85C градусов Цельсия.
Особенности:
- Пропускная способность 670MHz-3dB
- Низкий уровень шума 0.9nV / √ Гц
- Скорость нарастания выходного напряжения 1000V/μs
- Низкое потребление тока = 12мА
- Напряжение от 5В до 12В
- Два источника питания от ± 2,5 В до ± 6В
- Быстрое отключение на EL5132ты в температурном диапазоне от-40C до +85C градусов Цельсия.
| Общие сведения | |
| Номенклатурный номер | EL5132IS |
| Производитель | Intersil |
| Номенклатурный номер производителя | EL5132IS |
| Краткое описание | IC OP AMP HS LN 670MHZ 8-SOIC |
| Соответствие директиве RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 97 |
| Категория | Интегральные схемы (ICs) |
| Семейство | Линейные усилители измерительных приборов |
| Серия | - |
| Количество контуров | 1 |
| Скорость нарастания входного напряжения | 1000 V/µs |
| Усиление пропускной способности | 3GHz |
| Полоса пропускания -3Дб | 670MHz |
| Ток входного смещения | 12µA |
| Входное напряжение | 500µV |
| Ток | 11mA |
| Ток выход/канал | 140mA |
| Напряжение | 5 V ~ 12 V, ±2.5 V ~ 6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Монтажный тип | Поверхностный |
| Упаковка | Трубка |
| Технические характеристики | Спецификации |


E-mail:
Корзина: пусто
Сумма: $0